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商品編號:DJAV0S-A9005NY0C

半導體製程技術導論(第三版)

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商品詳情
作者:
ISBN:
9789572195758
出版社:
出版日期:
2014/08/18
  • 內文簡介
  • <內容簡介>

    本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版),提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院,電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。


    ★本書特色:

    1.本書延續上一版,極完整的章節架構,並更新了各相關新技術。
    2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
    3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,使學生熟悉各種加工原理及其應用領域,以作為投入電子工業之基礎訓練課程。


    ★目錄:

    第一章 導論 1
    1.1 積體電路發展歷史 3
    1.2 積體電路發展回顧 14
    1.3 本章總結 22
    習題 22
    參考文獻 22
    第二章 積體電路製程介紹 25
    2.1 積體電路製程簡介 26
    2.2 積體電路的良率 26
    2.3 無塵室技術 30
    2.4 積體電路製程區間基本結構 38
    2.5 積體電路測試與封裝 48
    2.6 積體電路未來發展趨勢 55
    2.7 本章總結 56
    習題 57
    參考文獻 58
    第三章 半導體基礎 59
    3.1 半導體基本概念 60
    3.2 半導體基本元件 64
    3.3 積體電路晶片 75
    3.4 積體電路基本製程 79
    3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86
    3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90
    3.7 本章總結 92
    習題 93
    參考文獻 93
    第四章 晶圓製造 95
    4.1 簡介 96
    4.2 為什麼使用矽材料 96
    4.3 晶體結構與缺陷 98
    4.4 晶圓生產技術 101
    4.5 磊晶矽生長技術 109
    4.6 基板工程 117
    4.7 本章總結 121
    習題 122
    參考文獻 122
    第五章 加熱製程 125
    5.1 簡介 126
    5.2 加熱製程的硬體設備 126
    5.3 氧化製程 130
    5.4 擴散製程 150
    5.5 退火過程 155
    5.6 高溫化學氣相沉積 159
    5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167
    5.8 加熱製程發展趨勢 174
    5.9 本章總結 176
    習題 177
    參考文獻 178
    第六章 微影製程 179
    6.1 簡介 180
    6.2 光阻 181
    6.3 微影製程 184
    6.4 微影技術的發展趨勢 210
    6.5 安全性 228
    6.6 本章總結 229
    習題 231
    參考文獻 232
    第七章 電漿製程 235
    7.1 簡介 236
    7.2 電漿基本概念 236
    7.3 電漿中的碰撞 238
    7.4 電漿參數 242
    7.5 離子轟擊 247
    7.6 直流偏壓 249
    7.7 電漿製程優點 251
    7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255
    7.10 高密度電漿製程 260
    7.11 本章總結 262
    習題 263
    參考文獻 263
    第八章 離子佈植製程 265
    8.1 簡介 266
    8.2 離子佈植技術簡介 273
    8.3 離子佈植技術硬體設備 281
    8.4 離子佈植製程過程 290
    8.5 安全性 304
    8.6 離子佈植技術發展趨勢 306
    8.7 本章總結 308
    習題 309
    參考文獻 310
    第九章 蝕刻製程 311
    9.1 蝕刻製程簡介 312
    9.2 蝕刻製程基礎 314
    9.3 濕式蝕刻製程 320
    9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325
    9.5 電漿蝕刻製程 338
    9.6 蝕刻製程發展趨勢 357
    9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359
    9.8 本章總結 361
    習題 362
    參考文獻 362
    第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365
    10.1 簡介 366
    10.2 化學氣相沉積 368
    10.3 介電質薄膜的應用 385
    10.4 介電質薄膜特性 393
    10.5 介電質CVD製程 406
    10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420
    10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421
    10.8 介電質CVD反應室清潔 424
    10.9 製程發展趨勢與故障排除 428
    10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434
    10.11 本章總結 441
    習題 443
    參考文獻 444
    第十一章 金屬化製程 447
    11.1 簡介 448
    11.2 導電薄膜 450
    11.3 金屬薄膜特性 464
    11.4 金屬化學氣相沉積 472
    11.5 物理氣相沉積 481
    11.6 銅金屬化製程 493
    11.7 安全性 499
    11.8 本章總結 499
    習題 501
    參考文獻 502
    第十二章 化學機械研磨製程 503
    12.1 簡介 504
    12.2 CMP硬體設備 514
    12.3 CMP研磨漿 517
    12.4 CMP基本理論 523
    12.5 CMP製程過程 529
    12.6 CMP製程發展趨勢 538
    12.7 本章總結 539
    習題 540
    參考文獻 542
    第十三章 半導體製程整合 545
    13.1 簡介 546
    13.2 晶圓準備 546
    13.3 隔離技術 548
    13.4 井區形成 554
    13.5 電晶體製造 557
    13.6 金屬高k閘極MOS 561
    13.7 互連技術 565
    13.8 鈍化 574
    13.9 總結 575
    習題 575
    參考文獻 576
    第十四章 IC製程技術 577
    14.1 簡介 578
    14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578
    14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582
    14.4 2000年代CMOS製程流程 596
    14.5 2010年代CMOS製程流程 615
    14.6 記憶體晶片製造製程 627
    14.7 本章總結 644
    習題 645
    參考文獻 646
    第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649
    參考文獻 656
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